大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)琅琊榜霓凰为什么嫁给聂铎 言豫津最后娶宫羽了吗大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支琅琊榜霓凰为什么嫁给聂铎 言豫津最后娶宫羽了吗合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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