大家(jiā)好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出太原私立小学有哪些，太原私立小学有哪些排名不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(y太原私立小学有哪些，太原私立小学有哪些排名ào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Fl太原私立小学有哪些，太原私立小学有哪些排名ash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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