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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)e的1次方等于什么，e的1次方等于什么函数。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维e的1次方等于什么，e的1次方等于什么函数的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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