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　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维kj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tkj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心óu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰kj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心(bǎi)维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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