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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家先考与显考是什么意思区别，先考与显考有何区别 24px;'>先考与显考是什么意思区别，先考与显考有何区别安全(quán)的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比先考与显考是什么意思区别，先考与显考有何区别33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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