大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光可怜天下父母心的全诗的意思，可怜天下父母心的意思公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占可怜天下父母心的全诗的意思，可怜天下父母心的意思比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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