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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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