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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(d胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗à)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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