大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(mě昆仑山在哪个省哪个市，昆仑山在哪个省哪个市哪个县i)光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)昆仑山在哪个省哪个市，昆仑山在哪个省哪个市哪个县键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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