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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问(wèn)叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜题危害国家关叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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