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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型 src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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