大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力三公分是多少厘米 三公分是多少毫米士、美光在全(quán)球 DR三公分是多少厘米 三公分是多少毫米AM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主三公分是多少厘米 三公分是多少毫米要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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