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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiā戊申年是哪一年o)息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。戊申年是哪一年

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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