大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(三维向量叉乘公式矩阵，三维向量叉乘公式行列式quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层三维向量叉乘公式矩阵，三维向量叉乘公式行列式均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积三维向量叉乘公式矩阵，三维向量叉乘公式行列式）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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