大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、日本还敢不敢打中国，日本未来会打中国人吗 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。日本还敢不敢打中国，日本未来会打中国人吗trong>存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。