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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此劳心者治人劳力者治于人这句话的意思是什么，劳心者治人 劳力者治于人是什么意思次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(劳心者治人劳力者治于人这句话的意思是什么，劳心者治人 劳力者治于人是什么意思mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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