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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如拔冗莅临是什么意思boronnijijiao，拔冗莅临是什么意思？ 词语果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)拔冗莅临是什么意思boronnijijiao，拔冗莅临是什么意思boronnijijiao，拔冗莅临是什么意思？ 词语拔冗莅临是什么意思？ 词语，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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