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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(s揆诸当下的意思是什么，揆诸当下读音hì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND揆诸当下的意思是什么，揆诸当下读音时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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