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  大(dà)家(jiā)好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī),日前,网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

  审(shěn)查发现,美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患,对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险,影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此,网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规(guī),我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查,目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全,是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求,欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服(f10002是什么电话啊 10002是哪个学校代码ú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为保障关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全(quán),防范产品问(wèn)题隐患造成10002是什么电话啊 10002是哪个学校代码(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安(ān)全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57%降至2022年(nián)约11%。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份(fèn)额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng),江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等10002是什么电话啊 10002是哪个学校代码国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē),确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng),巩固公司在下游市场的供应优势,公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制,或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士,国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽,催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设备国(guó)产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升,以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增(zēng)长。

 

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