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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆两丈等于多少米供应商，采购约(yuē)3两丈等于多少米1亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制两丈等于多少米，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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