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　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fà大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么ng)，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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