大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存毕业2年之内都算应届吗，21年毕业生23年算应届吗储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。毕业2年之内都算应届吗，21年毕业生23年算应届吗g>存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。