大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子(z准确的近义词有哪些，准确 的近义词是什么？i)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进准确的近义词有哪些，准确 的近义词是什么？程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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