大家(jiā)好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS 日本最想干掉的国家，日本最恨哪个国家Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3日本最想干掉的国家，日本最恨哪日本最想干掉的国家，日本最恨哪个国家个国家D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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