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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国(gu意映卿卿如晤什么意思，意映卿卿如晤读音ó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商(sh意映卿卿如晤什么意思，意映卿卿如晤读音āng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等意映卿卿如晤什么意思，意映卿卿如晤读音(děng)相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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