大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对耐克折扣店是真的吗，街边的耐克折扣店是真的还是假的外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jì耐克折扣店是真的吗，街边的耐克折扣店是真的还是假的n)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光耐克折扣店是真的吗，街边的耐克折扣店是真的还是假的是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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