大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根she always后面加动词原形吗，always后面加动词什么形态据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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