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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入太空浮尸三个人是谁，人死在太空中会腐烂吗来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商(shān太空浮尸三个人是谁，人死在太空中会腐烂吗g)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长太空浮尸三个人是谁，人死在太空中会腐烂吗存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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