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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　拿破仑法典的意义和基本原则是什么，拿破仑法典的意义和基本原则有哪些　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)拿破仑法典的意义和基本原则是什么，拿破仑法典的意义和基本原则有哪些国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)拿破仑法典的意义和基本原则是什么，拿破仑法典的意义和基本原则有哪些，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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