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三角形中线长公式是什么,中线长公式是什么原因 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家(jiā)好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日(rì)前(qián),网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网络安全(quán)审查三角形中线长公式是什么,中线长公式是什么原因(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查,目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全,是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开(kāi)放(fàng),只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国(guó)市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险,维护国家安全,依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》,网络安全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发(fā)!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng),采(cǎi)购约31亿元(yuán),占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势,公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù),薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单,设(shè)备国产化进程(chéng)加速,看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)(薄膜沉(chén)积)等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升,以及存储业三角形中线长公式是什么,中线长公式是什么原因n style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>三角形中线长公式是什么,中线长公式是什么原因务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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