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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购(gò一里地等于多少米 一里地等于多少公里u)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约一里地等于多少米 一里地等于多少公里为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)一里地等于多少米 一里地等于多少公里从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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