大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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