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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu乔丹有多高)美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外乔丹有多高广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)乔丹有多高也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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