大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　一方水等于多少升，一方水等于多少升水trong>美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mí一方水等于多少升，一方水等于多少升水n)共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品一方水等于多少升，一方水等于多少升水>

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。