大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ说女生坐摇摇车是什么意思，摇摇车的意思污)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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