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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(q六朝是指哪六朝uán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá六朝是指哪六朝)人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(六朝是指哪六朝jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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