大家(jiā)好，来看一(yī)则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯一般墓地种多少棵柏树吉利，墓地一般种几棵柏树好片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三(一般墓地种多少棵柏树吉利，墓地一般种几棵柏树好sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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