大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消作出指示和做出指示区别在哪，作出指示还是做出息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。<作出指示和做出指示区别在哪，作出指示还是做出/p>

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人作出指示和做出指示区别在哪，作出指示还是做出(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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