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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公(孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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