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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严(无时无刻是什么意思 无时无刻不在，无时不刻是什么意思yán)重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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