大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行(xíng保温杯一般可以用几年，保温杯一般用几年换一次)网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国(保温杯一般可以用几年，保温杯一般用几年换一次guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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