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如何把对象玩成喷泉状态,怎么让自己女朋友喷泉 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息。

  美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

  据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)如何把对象玩成喷泉状态,怎么让自己女朋友喷泉息,日前,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

  审查发现,美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险,影响我国(guó)国(guó)家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī),我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安(ān)全,是维护国家安全的(de)必如何把对象玩成喷泉状态,怎么让自己女朋友喷泉要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú),欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文(wén)称,为保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全,防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险,维护国家安全,依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

  半导体突发!中国出(chū)手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng),江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng),至少已经不(bù)是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制,或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士,国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

  分(fēn)析(xī)称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60:1的深孔(kǒng),未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo),催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù),薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单(dān),设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

 

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