大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)单倍行距是多少依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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