大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十国家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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