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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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