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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā新冠疫苗接种后多久更新健康码，新冠疫苗接种后多久更新健康码信息)安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫新冠疫苗接种后多久更新健康码，新冠疫苗接种后多久更新健康码信息(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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