大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，夜游鸟可以吃吗，夜游鸟吃了有什么好处巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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