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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外新字的繁体字有几画，新的繁体字是几画广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美(m新字的繁体字有几画，新的繁体字是几画ěi)国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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