大家(jiā)好，来看一(yī)则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāntan1等于多少，tan1等于多少兀g)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中国tan1等于多少，tan1等于多少兀区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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