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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zh凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗ǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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